離子固體與晶體結構

半導體摻雜

純矽其實是相當差的導體——室溫下只有涓涓細流般的電子能跨過它的能隙。然而矽卻驅動著整個數位世界。讓它脫胎換骨的訣竅是摻雜:刻意摻入極少量、受控的另一種元素,往往不過是百萬個矽原子裡摻一個外來原子。這一縷雜質就把電學行為改變了好幾個數量級,它是整個固態電子學中最重要的一個觀念。

矽有四個價電子、與四個鄰居成鍵,把每個電子都用光了。現在用磷取代一個矽原子,磷有五個價電子。其中四個組成正常的鍵;第五個被剩下來,束縛鬆弛,很容易被提升進導帶、在其中自由游走。這就是 n 型摻雜(n 代表負):摻雜劑施予額外電子,成為多數載流子。或者,用只有三個價電子的硼取代一個矽。有一個鍵就缺了一個電子——一個空穴,價帶裡的一個空位。鄰近電子能挪進這個空穴,於是空穴本身看上去就像一個正電荷載流子在移動。這就是 p 型摻雜(p 代表正)。兩種情形下,摻雜劑都在能隙內部緊挨著創造出新的能級,於是產生載流子所需的能量遠小於純晶體。

摻雜之所以重要,是因為 n 型矽與 p 型矽之間的結,是一切電子器件的基本構件。把一塊 p 區緊挨一塊 n 區,你就有了只讓電流單向流動的二極體;把它們疊成 n-p-n 或 p-n-p,你就有了電晶體——那種開關兼放大器,在一塊晶片上複製幾十億次,就是每一台電腦和手機的基礎。再加上光,一個 p-n 結就變成太陽能電池或 LED。所以,固體的抽象能帶圖景,加上刻意引入的少許缺陷,正是資訊時代名副其實的基石。

用磷(五個價電子)摻雜矽,得到帶多餘電子的 n 型材料;用硼(三個價電子)摻雜,得到帶空穴的 p 型材料。把兩者壓在一起,所成的 p-n 結就是一個二極體——而幾十億個這樣的結刻在一塊晶圓上,就構成了你手機裡的微處理器。

n 型(磷)與 p 型(硼)矽接成 p-n 結,構成每塊晶片中的二極體和電晶體。

在 p 型材料中,真正移動的並非正粒子——是電子挪進空位,而向相反方向移動的那個空穴只是一種方便的記帳手段,頗像氧化態。摻雜量極微,其效果卻極大。

又稱
dopingn-type and p-type doping掺杂extrinsic semiconductor