導通電阻（R_DS(on)）

當一顆 MOSFET 完全導通時，從汲極到源極的通道並非完美的短路：它有一個很小但真實的電阻，稱為 R_DS(on)，即汲源導通電阻。光這一個數字就告訴你這個開關有多好。現代功率 MOSFET 的 R_DS(on) 可能只有幾毫歐姆；較舊或較小的元件則有數十或數百毫歐姆。它越低，元件壓降越小、通過負載電流時發的熱也越少。

發熱遵循電阻功率定律：一顆通過電流 I 的 MOSFET 消耗 P = I^2 times R_DS(on)。舉例來說，一顆 R_DS(on) = 10 毫歐姆（0.01 歐姆）的元件承載 10 安培，會壓降 0.1 V、以熱的形式燒掉 10^2 times 0.01 = 1 瓦。把導通電阻減半，這個損耗也減半。這就是為什麼功率開關設計者為了幾毫歐姆而斤斤計較：在大電流下，電流平方項把每一毫歐姆放大成真實的瓦數與真實的溫升。

兩個誠實的提醒。R_DS(on) 不是固定的：它取決於閘極驅動（驅得越硬它越低，這正是為何半驅動如此損耗），而且它隨溫度上升，從 25 C 到 100 C 通常會增加大約一半。所以估算你的散熱預算時，務必用你實際閘極電壓下的「熱」導通電阻，絕不要用規格書第一行那個漂亮的標題數字。