功率 MOSFET

功率 MOSFET 是為了切換可觀電流（從數安培到數百安培）並阻斷數十或數百伏特而打造的 MOSFET。不像邏輯晶片裡那些微小的橫向電晶體，功率 MOSFET 是垂直結構：電流從頂部的源極往下穿過矽，流到底部的汲極（通常是金屬散熱片），於是一大片面積以極低的導通電阻承載電流。它是馬達驅動、電源供應、電池管理與 LED 驅動背後的現代肌肉。

它相對於功率 BJT 的吸引力在於電壓控制：你用閘極電壓指揮它，而非持續的基極電流，而且許多這類開關能並聯、能被簡單地驅動。規格書上的關鍵數字是汲源電壓額定（關閉時能阻斷多少）、連續汲極電流、R_DS(on)（導通損耗），以及閘極電荷（要快速切換有多難）。真正的功率切換設計，是在低導通電阻與低閘極電荷之間取得平衡的藝術，因為推進其中一個通常會惡化另一個。

實務上的提醒是真實的。功率 MOSFET 會傾倒大量熱，所以它住在散熱片上，而你必須尊重它的安全操作區。它的閘極雖不吸取穩定電流，卻是一顆相當大的電容，需要一個強勁的閘極驅動器才能快速切換，而且它依然帶著那層脆弱、對 ESD 敏感的氧化層。把本體二極體當作存在但很慢，而且絕不要假設標題上的電流額定，在沒有足夠散熱下還能用。