MOSFET 與場效電晶體電路
閘極電荷
MOSFET 的閘極不吸取穩定電流,但它是一顆電容,而讓元件導通就意味著把電荷灌進那顆電容。閘極電荷(寫作 Qg)是在給定的驅動電壓下,把元件從關閉帶到完全導通所必須倒進閘極的總電荷量。它以奈庫侖為單位,是衡量一顆 MOSFET 有多難快速切換的最真實指標,因為時間等於電荷除以電流。
如果你的驅動器能供應電流 I,閘極大約需要 Qg 除以 I 的時間來充電。舉例來說,一顆 Qg = 20 奈庫侖的元件,由一個 1 安培的閘極驅動器驅動,切換時間約為 20 nC / 1 A = 20 奈秒。想在 5 ns 內切換?你需要短暫的 4 安培閘極驅動電流。閘極電荷曲線還揭示了米勒平台(Miller plateau),一段平坦的區段,閘極電壓在那裡停滯不動而汲極電壓正在擺動:這個平台正是實際切換轉態發生之處,也是大部分切換損耗誕生之處。
閘極電荷決定了在某頻率下切換的代價。你的驅動器光是搬動閘極所花的平均功率,約為 Qg 乘以閘極驅動電壓乘以切換頻率:例如 20 nC times 10 V times 100 kHz = 0.02 W,在 100 kHz 時很小,但在百萬赫茲速度下會線性上升到瓦級。它與導通電阻之間有個根本的拉鋸:較大的 MOSFET 有較低的 R_DS(on) 卻有較多的閘極電荷,所以挑元件就是在導通損耗與切換工夫之間做取捨。
兩顆元件、相同導通電阻:在同一個閘極驅動器下,Qg = 15 nC 的那顆切換時間是 Qg = 30 nC 那顆的一半,所以在高頻轉換器中低電荷的那顆勝出。
切換時間是閘極電荷除以驅動電流。
低導通電阻與低閘極電荷拉向相反方向:較大的晶粒降低 R_DS(on) 卻提高 Qg。天下沒有白吃的午餐;要依你的切換頻率來挑。
又称
另见