三極體區與飽和區

MOSFET 一旦導通，會依汲源電壓而表現出兩種很不一樣的行為。在三極體區（又稱歐姆區或線性區），汲極電壓很小，元件像一顆電壓控制的電阻：電流大致與汲極電壓成正比，就像一顆你用閘極設定阻值的電阻。在飽和區，汲極電壓較大，通道在靠近汲極處被夾止（pinch off），電流就平坦下來，幾乎與汲極電壓無關，改由閘極決定。同一顆元件，兩種個性。

分界線在於汲源電壓超過閘極過驅動電壓（Vgs 減 Vth）之時。你想要哪個區，取決於工作。「開關」活在三極體區深處：你把閘極驅到全開，讓通道是一個低電阻，加上汲極電壓很小，於是損耗很低。「放大器」活在飽和區：在那裡汲極電流是閘極電壓的一個乾淨、受控的函數，所以閘極小小一動就產生忠實的電流擺動，這正是共源極放大器的基礎。

這裡有一個出了名讓新手栽跟頭的陷阱。在 MOSFET 中，飽和區是「好」的放大區，電流是恆定的；在 BJT 中，飽和卻代表電晶體被驅到全開、當開關用。同一個詞在兩種元件中意思幾乎相反。當有人說 MOSFET 處於飽和，他指的是它正當作電流源在放大，而不是它是一個硬導通的開關。