熱失控
熱失控是一個能毀掉 BJT 的惡性回授迴路。通電流的電晶體會發熱;一發熱,同樣的驅動下它就導通「更多」電流;更多電流使它更熱;又使它導通更多——如此一圈圈盤旋而上,直到元件把自己煮熟。它與恆溫器相反:迴路不自我修正,反而自我增強,像麥克風對著自己的喇叭嘯叫,越疊越大直到某處損壞。
物理引擎是基-射電壓的溫度相依性。在固定的基-射電壓下,矽電晶體的集極電流大約每升溫 10 攝氏度就翻一倍——等價地說,給定電流所需的基-射電壓每升一度約「下降」2 毫伏。所以若電晶體由固定電壓偏壓而它變熱,它便抽更多電流、散更多功率(P = Vce 乘上 Ic)、更加發熱,循環加速。它在電晶體帶大電流、散真實功率之處最危險:功率輸出級、線性穩壓器的調整電晶體,以及任何逼近極限運作的元件。並聯的電晶體尤其危險——略熱的那顆會搶走更多共享電流、變得更熱、搶得更多。
解法是對抗溫度漂移的負回授。一顆小射極電阻(射極退化)是經典做法:若電流想上升,射極電阻上多出的壓降會降低基-射電壓、把電晶體節流回去——正是分壓偏壓的自我約束,現在做熱穩定的差事。其他防護:散熱片以壓低溫度、把偏壓電路與功率電晶體做熱耦合使偏壓隨電晶體變熱而下降、電流限制,以及在功率晶片中明確的熱關斷電路。這一切背後誠實的教訓,是 BJT 設計反覆出現的主題:永遠別信任裸元件會乖乖聽話,因為溫度與 beta 都聯手與你作對——要內建讓電路無論如何都穩定的回授。
線性穩壓器中一顆沒有射極電阻、散熱片又不足的功率電晶體,從 100 mA 起步,變熱、爬到 150 mA、更熱、再爬——幾秒內就燙到不能碰,旋即短路失效。加一顆 0.22 歐姆射極電阻與恰當散熱片,電流便穩定下來,因為每一次上升都被推回去。
一個自我增強的熱與電流迴路——靠射極電阻與良好散熱來打斷。
熱失控是 BJT 的痼疾,根源於其負溫度係數的基-射電壓。功率 MOSFET 在大電流下大致免疫,因為它們的導通電阻隨溫度上升、自然均分電流——這是它們主宰現代功率切換的原因之一。