半导体

p-n结

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设想相邻的两个房间:一间挤满了坐不住的自由电子,另一间则是空着的座位——也就是空穴——等着被填满。打开两间之间的门,电子便涌过去,填进边界附近的空穴。这个电子多的区域与空穴多的区域相接触的会合处,就是 p-n 结。

p-n 结是在同一块晶体内部 p 型材料与 n 型材料相接的边界。在接触处,n 侧的自由电子涌过去填补 p 侧的空穴,两者在界面附近相互抵消,留下一条几乎没有可移动载流子的薄层,即耗尽区。那里暴露出来的固定离子建立起一个向内的电场,反过来推阻,直到达成平衡。正是这个内建电场,让结在一个方向上容易导电、在另一个方向上加以阻拦。

p-n 结堪称电子学中最重要的单一结构——它是二极管的工作核心、晶体管的构件、太阳能电池和发光二极管的活性元件。一个常见的误解是以为 n 侧带负电、p 侧带正电;事实上两侧起初都是中性的,唯一的电荷分离就是横跨那条薄薄耗尽层的微小内建电场。

一只简单的硅二极管,不过就是一个 p-n 结,两端各接一根导线。电池按一个方向连接,电流便畅通无阻;反过来接,内建电场就把耗尽区拉宽,几乎没有电流通过——这个结就像一个单向阀。

单单一个 p-n 结,就已经像个二极管:一个方向导通,另一个方向阻断。

p-n 结不是把两块分开的材料粘在一起做成的;它必须在同一块连续晶体内部生长或扩散而成,因为这套魔法依赖于晶格能平滑地跨越边界延续。

又称
p–n junctionpn结