讀寫裕度（SNM）

衡量一個 SRAM 單元能承受多少干擾、才會忘記自己的位元或拒絕接受新值——是單元的安全緩衝。讀取裕度（常以靜態雜訊裕度 SNM 量化）問的是：當我們導通存取電晶體進行讀取，從位元線灌進來的擾動會不會把儲存值翻掉？寫入裕度則相反：寫入驅動電路真能逼單元改變狀態嗎，還是這顆單元太頑固？一個單元必須穩到能安全讀取、卻又軟到容易寫入——這兩個要求方向相反、彼此拉扯。

設計者用著名的「蝴蝶曲線」來想像 SNM：把兩個反相器的轉移曲線互相疊畫，能塞進兩個迴路之間的最大正方形邊長，就以伏特量出雜訊裕度。正方形越小，單元離失效越近。隨著電晶體縮小，隨機摻雜漲落讓單元兩半失配，裕度被侵蝕——這正是奈米級 SRAM 最難做穩定的原因，也是為什麼要加上輔助電路（拉高字元線或位元線電壓）來把裕度買回來。