記憶體設計
SRAM 位元單元(6T cell)
靜態記憶體最小的一個位元——由六顆電晶體組成,能鎖住一個 1 或 0,只要持續供電就一直保持。可以想像兩個反相器頭尾相接,各自的輸出餵給對方的輸入:這個交叉耦合的迴路恰好有兩個穩定狀態,就像一個喜歡牢牢停在「開」或「關」的電燈開關。另外兩顆「存取」電晶體則是門,讀寫時讓外界窺看或推入新值。
因為它會主動「死守」自己的值(不像 DRAM 得靠電荷不斷補充),SRAM 速度快又不需更新(refresh),這正是為什麼它被用來打造緊貼 CPU 的快取(cache)。代價是面積:每個位元六顆電晶體,使 SRAM 又大又貴,所以一顆晶片可能只有數 MB 快取,卻配上數 GB 較便宜的 DRAM。現代 6T 單元可小於 0.02 µm²,單一 SoC 可能塞進數億顆。
Area ≈ 6 × transistor footprint; bit = stored by cross-coupled inverter pair
也有 8T、10T 等變體,把讀路徑與寫路徑分開,以利低電壓操作並提升讀取穩定度——隨著供應電壓持續下降,這種設計越來越實用。
又称
另见