工艺角（PVT corner）

下线的芯片没有两颗是一模一样的，而且谁也不会运行在一间温控完美的房间里。晶体管做出来会比教科书上的标称值略快或略慢（这就是制造上的离散性），供电电压会有些下陷或冲高，硅片则可能在从冰冷到滚烫的任何温度下工作。工艺角就是一份刻意悲观的配方，它把这三个旋钮一次性钉在最坏（或最好）的设定上——Process（工艺）、Voltage（电压）、Temperature（温度），因此叫 PVT——并且规定：芯片在这里也必须能用。你可以把它想象成给一座桥做应力测试时，不按平均车流量来压，而是在最热的那天、用最便宜那批钢材、压上最重的卡车。如果它扛得住这些极端角，你就相信它扛得住中间的一切情况。

这些角的简称来自晶体管最终做成什么样。SS 指慢-慢硅片（NMOS 慢、PMOS 也慢），FF 指快-快，TT 是典型的中心点，而 SF / FS 描述的是偏斜情形——一种类型的晶体管偏快、另一种偏慢。你把每个工艺点再配上一个电压和一个温度。哪个角会咬人，直觉是这样的：建立时间检查（setup，数据是否足够快、能赶在时钟沿之前到达？）通常在慢、低电压的角最糟，因为一切都拖沓迟缓；保持时间检查（hold，数据是否停留得够久？）通常在快、高电压的角最糟，因为信号抢跑冲在了前面。温度过去很简单——越热越慢——但在如今的低电压工艺节点上这关系可能反转，于是冷的硅片有时反而是慢的那一种情况。这正是为什么你不该靠手算去推某一个角；你要让工具把所有角都扫一遍。

一个角一个角地查会查到天荒地老，还会漏掉它们之间的相互作用，所以签核采用 MMMC——多模式多工艺角（multi-mode multi-corner）。一个模式（mode）就是芯片所处的一种工作场景（正常功能、扫描测试 scan、低功耗休眠态、加速 turbo 态），每个模式关心的是不同的时钟和不同的约束集合。MMMC 会把每一个模式与每一个相关工艺角交叉，搭出完整的网格，并在布线之后、把真实提取出的寄生参数（parasitics）放进时序模型里，对它们一次性一起分析。所谓收敛时序（close timing），就是这张网格里的任何一格都没有失败的路径——只有到这一步，设计才算真正在它将要面对的硅片、供电、温度的整个包络范围内都满足了时序。