三維積體電路（3D IC）

三維積體電路（3D IC）把有源矽晶粒「垂直」堆疊起來，以面對面或穿過矽本體的方式相連，讓訊號在各層之間上下穿行，而非向側邊引出。如果說 2.5D 是同一月台上的數棟塔樓，3D 就是把一顆晶片直接疊到另一顆之上，並在樓層之間鑽出直達電梯。這些「電梯」就是矽穿孔（TSV），在最先進的形式中則是無銲料、直接銅對銅接合兩片晶圓的混合鍵合。

走向垂直大幅縮短訊號的傳播距離——堆疊層間的一條連接可比把相同網路繞過電路板短上數百倍——因此延遲更低、頻寬大增、每位元耗能更省。記憶體疊邏輯（把快取疊在 CPU 上）與堆疊式 DRAM（HBM）是旗艦應用。難點在散熱：被埋住的晶粒無法像頂層晶粒那樣從背面散熱，因此耗電的層必須極其謹慎地配置與冷卻。