電位移場（electric displacement field）
把一塊介電質放進電容器，它的分子會極化，長出束縛電荷，部分地抵消所施加的場。與其明確地追蹤那些束縛電荷，我們把它們的效應打包進一個新的場。電位移場 D 就是這樣一個記帳工具——一個輔助場，它的源只有你真正能控制的自由電荷。
電位移場定義為 D = epsilon_0 E + P，其中 E 是總電場、P 是極化密度（單位體積的偶極矩）。它的用意是一個乾淨版本的高斯定律：div D = rho_free，意思是 D 穿過一封閉曲面的通量只計入所包圍的「自由」電荷，那些惱人的束縛電荷則自動被吸收進 P 裡。在線性介電質中 D 正比於 E，即 D = epsilon E，其中 epsilon = epsilon_0 epsilon_r 是電容率，epsilon_r 是相對電容率（介電常數）。
D 之所以極其方便，是因為在一個問題裡你通常知道自由電荷——你堆到極板上的電荷——卻不知道束縛電荷，那是由材料決定的。用 D 來寫高斯定律，讓你能單憑自由電荷找出場，再回推 E。一個關鍵的告誡：D 是一個定義出來的輔助場，而非基本場。是 E 推動電荷、出現在勞侖茲力裡；而且與 E 不同，場 D 可以有非零的旋度，因此它不是保守的，也沒有對應的位勢。
一個平行板電容器的極板上帶有自由面電荷密度 sigma_free。那麼兩極板之間的 D 就只是 D = sigma_free，無論縫隙裡填的是什麼介電質——電位移場完全由自由電荷決定。插入一塊常數為 epsilon_r 的介電質，D 不變，但把實際的場降為 E = D/(epsilon_0 epsilon_r)。
D = epsilon_0 E + P，且 div D = rho_free：只計入自由電荷的高斯定律。
D 是輔助場，而非基本場——對電荷施力的是 E，不是 D。而且 div D = rho_free 並不代表 D 完全由自由電荷單獨決定：與 E 不同，D 可以有非零的旋度，因此你還需要邊界條件或本構關係才能把它定下來。