絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）

一種混血功率開關，把 MOSFET 易於用電壓驅動的閘極，嫁接到雙極性電晶體粗壯的載流體上——在高功率場合集兩者之長。你像驅動 MOSFET 那樣用簡單的閘極電壓翻動它，但內部卻像雙極性元件那樣以低且近乎固定的壓降，在高電壓下導通巨大電流。它在 600 V 到數千伏間如魚得水。

這使 IGBT（絕緣閘雙極性電晶體）成為高壓、中頻功率的主力：馬達驅動、電氣火車牽引、太陽能與風力逆變器、電磁爐。它的弱點是關斷時的「拖尾電流」，把它限制在數十 kHz——再高，SiC MOSFET 就勝出。在千瓦以下與高頻場合，普通 MOSFET 通常更好。