碳化矽與氮化鎵寬能隙元件（SiC & GaN）

把普通矽遠拋在後的新電晶體材料，像從銅線換成光纖。碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）的能隙寬得多，所以能在更薄的層裡承受更高電壓、以更低電阻導通，並以快上許多倍的速度切換、發熱卻更少。同瓦數下，一個 GaN 充電器可只有矽款的三分之一大。

切換更快意味著電感與變壓器都極小，於是寬能隙元件讓從手機充電器到 800 V 電動車動力系統乃至電網逆變器全都變小變涼。SiC 掌管高壓高功率端（汽車、太陽能）；GaN 獨霸高頻較低壓端（充電器、資料中心電源）。代價是它們切換得太陡，閘極驅動與佈線的紀律成了成敗關鍵，且每安培成本更高。