記憶體設計

非揮發性記憶體(NVM)

任何在斷電後仍保留內容的記憶體——是晶片的長期記憶,相對於 SRAM 與 DRAM 那種短期的便條紙。快閃是 NVM 的主力,但寫入慢又會耗損,所以業界追逐「新興」NVM,目標是像 RAM 一樣快又耐用、卻又永久。它們儲存位元不靠電荷,而靠材料的物理狀態:一條微小燈絲的電阻(ReRAM)、一個奈米磁體的磁化方向(MRAM),或硫族化物的結晶/非晶相態(PCM/相變)。

夢想是打造「儲存級記憶體」,抹去「快但健忘的 RAM」與「慢但永久的磁碟」之間的高牆——讓電腦能在斷電中把工作資料原地保留。晶片內嵌的非揮發記憶體(eNVM)也用來存放微控制器的韌體、修整值、安全金鑰,以及出廠時燒錄的 eFuse 設定。每種技術都在權衡同一組取捨:速度、密度、耐受度(多少次寫入後失效)與保存期(能記憶幾年)。

MRAM 正逐漸取代微控制器中的內嵌快閃,乃至部分 SRAM 快取,因為它不像快閃,寫入快又能承受幾近無限的寫入週期。

又稱
NVMpersistent memoryeNVMemerging memory非揮發記憶體