快閃記憶體（浮閘）

一種非揮發性記憶體，靠把電子囚禁在電晶體內部一座導體孤島——「浮閘」——上，無需供電就能記憶。程式化時，電子被逼上這座絕緣孤島（透過量子穿隧或熱電子注入），由於沒有任何接點把它們導走，便能滯留多年。它們的存在會移動電晶體的臨界電壓，所以你日後讀取該單元時，它導通與否，就成了你儲存的 1 或 0。這就像把電荷封進玻璃罐：不需供電也能蓋緊蓋子。

快閃記憶體用彈性換密度。你無法便宜地改寫單一位元——單元只能以大區塊（block）為單位抹除（施加高反向電壓，把電子穿隧回去），而每次抹除都會緩緩損傷絕緣氧化層，所以一個單元在數千到數十萬次抹除後就會耗損。NAND 快閃把單元串聯以求極致密度（SSD 與 USB 隨身碟的儲存），NOR 快閃則並聯以求快速隨機讀取（用來放開機韌體）。現代晶片以每單元儲存多個位元（MLC／TLC／QLC），靠感測數個不同的電荷位準，並把單元在 3D 中垂直堆疊——如今已逾 200 層。