動態功耗（dynamic power）

把晶片裡的每條導線想成一個小水桶，要裝滿才能代表 1、要倒空才能代表 0。每次一個位元翻轉，你就得灌入電荷或把它倒出來，而灌注是要費力的。一顆晶片每秒在數百萬條導線上做數十億次這種翻轉。動態功耗就是所有這些翻轉的能量代價——因為晶片正在主動切換、在做工而花掉的功率。

經典公式捕捉了它：動態功耗大致正比於電容乘以電壓平方乘以頻率（P 約等於 C 乘以 V^2 乘以 f）。電容 C 是每條導線能裝多少電荷；電壓 V 是你必須把它灌到多高；頻率 f 是你每秒翻轉幾次。其中兩項是著名的槓桿。電壓是平方項，所以稍微降低電壓就能大幅削減功率——把 V 砍半，這一項變成四分之一。頻率是線性項，所以時脈越快，功率就按比例增加。（更講究的版本還要乘上一個活動因子，也就是每週期實際翻轉的導線比例，因為閒置的導線在動態上不花成本。）

這道公式是幾乎每種功率技巧背後的引擎。它解釋了動態電壓頻率調整為何有效：不需要全速時把 V 和 f 一起降下，功率就陡降，因為 V^2 那一項讓降電壓特別有威力。它解釋了百萬赫茲陷阱：為了追逐時脈速度的頭條而拉高頻率，會燒掉隨 f 上升的功率，而且因為最高的時脈需要更高的電壓，上升得甚至比 f 還快。而這只是故事的一半——隨著電晶體變小，靜態（漏電）功耗不再可忽略，兩者加起來訂出了那個終結 Dennard 微縮的功率預算。