靜態功耗／漏電（static / leakage power）

想像一個水箱，水龍頭關緊了，但密封處整天都有一滴一滴慢慢滲出來。你並沒有刻意用任何水，水箱卻一直在流失。現代的電晶體就像這樣：即使它被關掉、什麼都不做，仍有微小的電流從它身上漏過去。把那股細流乘上數十億個電晶體，你就得到靜態功耗——晶片光是通電就燒掉的功率，無論它是否在運算。

靜態功耗，也叫漏電功耗，只要晶片被施加電壓就會消耗，和它切換多快無關。它的主要來源是名義上「關閉」的電晶體上的漏電電流——隨著電晶體變小，它們的絕緣層薄到電子會穿隧、滲漏過去。漏電隨溫度急遽上升（熱的晶片漏更多，於是更熱，這是個危險的回饋），也隨較低的閾值電壓上升。不像動態功耗可以靠放慢時脈削減，靜態功耗即使對一個閒置的核心也持續流失——唯一能止住它的方法，是把那個區塊的電源整個切斷。

靜態功耗就是為什麼簡單的動態公式不再是全部真相，也是它重塑設計的原因。在較舊、較大的製程裡，漏電可忽略，工程師可以不理它；到了約 90 奈米世代以下，它成了總功率中很大的一塊，有時甚至是主導的那一塊。這是 Dennard 微縮終結的一大原因：你不能再免費地縮小電晶體並降低電壓了，因為漏電拒絕跟著它們一起縮小。實務上的解答是功率閘控（字面意義上把供電切給未使用的區塊關掉）和暗矽（接受你無法讓每個電晶體同時通電並切換）。