缺陷締合（defect association）

離子晶體中的缺陷帶著等效電荷，而異號電荷相吸。所以一個受體摻質（帶負電）與它造出的氧空位（帶正電）並不會各自獨立地在晶體裡遊蕩——在中溫下它們感受到彼此的庫侖吸引，締合成一對，像兩塊磁鐵咔一聲吸在一起。缺陷締合就是異號點缺陷傾向鎖成束縛對、乃至更大團簇、而非保持自由的現象。

一個束縛對是一個新的、電荷較低（常近乎中性）的實體：例如氧化鋯中的釔-空位締合體 (Y_Zr' V_O••)，用克羅格-芬克記號寫成帶單正電的複合體 (Y_Zr' — V_O••)•。締合帶有一個結合能，所以這是一場溫度之戰：加熱釋放這些對（熵勝，缺陷四處遊走），冷卻則鎖住它們（能量勝，缺陷成對）。一個關鍵後果是：被束縛的空位是「被困住」、較不可動的空位——它再也不能自由承載電流——所以即使缺陷總數不變，締合仍從有效載子的資源池中扣除。

這正是為什麼「摻越多」不見得「導越好」。在穩定化氧化鋯中，離子導電度隨氧化釔含量上升、在約 8 mol% 達到峰值，然後在更高摻雜量時「下降」，因為擁擠的空位越來越常與摻質陽離子、以及彼此締合，把自己固定住。在像 Fe(1-x)O 這種嚴重非計量的氧化物裡，締合更進一步發展為延伸的缺陷「團簇」（Koch-Cohen 團簇，空位加間隙陽離子）。締合正是對簡單質量作用定律所假設之稀薄、互不作用圖像的誠實修正。