能帶理論與電子結構
能隙
/ band gap /
把晶體裡被允許的那些能量想像成一棟樓裡的樓層，電子就住在這些樓層上。能帶就是樓層——一層一層擠滿房間的寬闊區段。但有些樓層之間根本就沒有樓層：那是一段能量區間，電子無論怎麼掙扎都不可能待在裡面。這段空蕩蕩的禁區，就是能隙。
能隙是一段不存在任何允許電子態的能量範圍。下方能帶裡的電子，不可能取到能隙內部某處的能量；要想越過去，它必須吸收一份至少和能隙一樣大的能量，乾淨俐落地跳到上方的能帶。能隙的大小通常以電子伏特為單位，是描述一種材料最重要的幾個數字之一。
能隙之所以重要，是因為它決定了電流能否流動、以及材料會吸收或發出哪些顏色的光。大約一電子伏特的能隙給出有用的半導體；幾個電子伏特的能隙給出絕緣體；完全沒有能隙則給出金屬。一個常見的混淆是把能隙當成原子之間的物理空隙——它不是；它是能量上的空隙，是允許能量這架梯子上空缺的一段。
矽的能隙約為 1.1 電子伏特，而鑽石——化學上算是矽的表親——的能隙約為 5.5 電子伏特。正是這點差別，使得矽晶片可以被誘導去導電、去開關，而透明的鑽石卻始終是一塊頑固的絕緣體，任憑可見光徑直穿過。
小能隙（矽）造出半導體；大能隙（鑽石）造出絕緣體。
在日常用法裡，能隙和能隙說的是同一回事；本領域把能隙（energy gap）單列，是為了強調它指的是那段禁區的可測量大小，而能隙（band gap）命名的是禁區本身。
又稱
另見