低温热预算
稀释制冷机像洋葱一样一层层套着,越往里走的板子越冷,最里面是基板,温度维持在比绝对零度高出千分之几度的地方,量子比特芯片就放在那里。一个残酷的事实是:每一层板子只能带走极少量的热——4开尔文那层也许有一瓦左右,但到了毫开尔文的基板就只剩区区几百微瓦。热预算就是把这一切算成一本账。你每加一根电缆、一个衰减器、一个放大器、一个滤波器,都会往某层板子上倾倒一些热量,而每层板子上的总和必须低于这层能抽走的量,否则整个温区就会升温,量子比特随之罢工。
热量从两条路进来。一部分顺着电缆的金属从上方温暖的房间传导下来,这正是控制线要用导热很差的合金、并在所经过的每层板上做热沉的原因。另一部分则是就地耗散的:衰减器把一个强脉冲变成又弱又冷的脉冲,那份差额就被它当作热量吸收掉;放大器要消耗直流功率,最终也变成热。设计者先算清每条线有多少微瓦,再乘以线的数量。几个量子比特很轻松;只有当你设想成千上万条控制线和读取线全都挤进同样的冷温区时,这本账才会咬人。
这是量子芯片扩展过程中一堵真实而不起眼的墙。你没法简单地多塞几根线,因为最冷的板子早在你用完空间之前就先用光了制冷能力。正是这种压力推动着整个领域:低温CMOS想把控制电子设备搬进制冷机里,好让通往温暖世界的电缆少一些;复用让每条线承载更多量子比特;片上隔离器则试图把笨重的元件缩小。这些方向都很有前景,却都还处在早期,眼下热预算仍是一道硬天花板,设计者只能一条线一条线地围着它做规划。
对每一层板,沿线传导下来的热加上在该板上耗散的热,对所有电缆和元件求和后,必须低于这层板的制冷能力;基板那点微薄预算(几百微瓦)是最紧的约束。
制冷能力随温度降低而急剧下降,所以花在毫开尔文基板上的一微瓦,远比4开尔文那级的一瓦珍贵得多——这正是大多数衰减和耗散都被尽量推到更暖的板子上的原因。