電極–神經元封接電阻

封接電阻是指電極表面與其所記錄之神經元細胞膜之間、那道薄間隙的電阻，相當於膜片鉗中千兆歐姆封接（gigaseal）在組織中的對應。較大的封接電阻迫使神經元更多的跨膜電流流經電極、而非經間隙漏失，故所記錄的胞外訊號幅值與其成正比。

對被動胞外接點而言，封接鬆散（約在百萬歐姆或更低量級），訊號微小；而各種緊密耦合策略——如蘑菇狀或奈米柱電極的包覆、穿膜奈米線，以及促附著塗層——其全部用意即在於將封接電阻提升至接近細胞內的區間。封接電阻因而將介面的材料與幾何直接連結到訊號品質，是奈米級耦合的量化目標。