先進電極材料與奈米級介面

奈米線電極

奈米線電極以密集排列的垂直高長徑比線陣列(矽、金屬、氧化物或 III–V 族半導體)取代平面接點。其三維幾何倍增電化學表面積、降低阻抗,而突出的尖端則能接觸單一細胞、收緊電極–細胞膜封接,在某些設計中甚至穿透或與細胞膜融合,達成細胞內等級的接取。

它們位於阻抗工程與緊密耦合的交會處:作為被動接點時,其行為與任何高表面積塗層無異;但作為穿膜結構(中空奈米線或奈米吸管)時,則能實現短暫的細胞內記錄,甚至分子遞送。其慢性活體應用受限於脆弱性、高長徑比奈米結構長期生物相容性的未知,以及在組織移動下維持穿透式介面的困難。

又称
vertical nanowire arraynanostraw奈米線陣列