量子现象与技术

隧道二极管

隧道二极管是一种把量子隧穿用进电路里的电子元件。它是一个两侧都被极重掺杂的半导体结,因而两者之间的边界层异常之薄——仅有几纳米。越过如此狭窄的势垒,电子并不需要足够的能量去翻越;它们干脆径直隧穿过去,仿佛势垒部分透明似的出现在另一侧。

这种隧穿赋予该器件一种奇特而宝贵的性质:负微分电阻区。在普通电阻里,升高电压总会增大电流。而在隧道二极管中,在某一范围内,升高电压反倒使电流下降,因为原本允许隧穿的能级渐渐错开了对准。一个电流随电压升高而下降的元件,能够放大信号并维持振荡,这正是隧道二极管曾用于极快速、高频电路的原因。

由于隧穿基本上是瞬时的,并不依赖电荷缓慢漂移越过结,隧道二极管能极快地切换,直至微波频段。江崎玲于奈于一九五七年发现这一效应,并因此分享诺贝尔奖。尽管如今它大体已被其他器件取代,隧道二极管却是一个早期而生动的证明:一种曾被认为纯属理论的量子效应,竟可被设计进实用的电子学之中。

raise V over the peak → I falls (negative differential resistance)

在隧穿区段内,电流随电压升高而下降——这正是让该二极管能振荡、能放大的标志。

这里的负电阻是「微分」意义上的——它描述的是在某一范围内电流随电压如何变化,而非说二极管会向外输出能量。和任何无源元件一样,它整体上仍遵守能量守恒。

又称
Esaki diode江崎二极管隧穿二极管