多重曝光（multi-patterning）

光刻有一条写进物理里的倔脾气：你印不出比所用波长大致允许的还要细的线条，否则就印不干净。多年来，业界用193nm的光把特征尺寸一路压到远低于那个舒适极限的地方，最后差距大到一次曝光干脆把相邻的线条糊成了一团。多重曝光就是这个难题的变通办法。与其一次性把所有紧挨着的线条都印出来，不如把它们拆到两次、三次甚至四次单独的曝光里，每一次只印一个更粗、间距更宽、光学系统分辨得了的子集。想象一下隔着一块镂空模板去刷一道栅栏，模板上的缝太宽，没法挨着排：你先刷一根隔一根，再把模板移一下，去刷中间那些。两道轻松的工序，就能得到一道密度是任何单块模板都做不出的、密一倍的栅栏。

麻烦就出在“单独”这两个字背后牵出的一切。每一次曝光都要有自己的一张光罩，而自对准的几种变体还要额外加上若干轮沉积和刻蚀，去生长并修整那些用来界定真正线条落点的牺牲性侧墙。于是，本来EUV一步就能印出的一个逻辑层，可能膨胀成两倍、三倍乃至四倍的光罩，再加上夹在中间的那些额外工序。光罩越多，就意味着越多的钱、越长的在厂周转时间，以及越多出错的机会：每多一道工序，就多一个让颗粒、对位偏差或刻蚀波动钻进来的地方，而套刻误差（第二层图形叠在第一层之上叠得有多准）本身就会成为一个独立的良率杀手。

这正是EUV当初要纾解的那个极限。把光从193nm换成EUV的13.5nm波长，能分辨的特征尺寸大幅缩小，于是一个曾经非要四重曝光不可的层，又能塌缩回单次EUV曝光。但EUV并没有终结多重曝光，它只是把这件事往后推了：在5nm及以下的节点，以及那些即便用了EUV也最紧的层上，晶圆厂仍要请出双重曝光，而高数值孔径EUV在它的第一代上也会面临同样的拉锯。多重曝光，是业界在等更短波长的光追上晶体管早已抵达之处的这段时间里，一直给出的那个诚实而昂贵的答案。