記憶體設計
記憶體冗餘與修復
讓一顆有十億單元的記憶體即使出廠時有幾個壞單元也能照賣的把戲:內建備用的列與行,把壞的換成好的。現代記憶體陣列大到隨機製造缺陷在統計上必然發生——沒有修復,良率會跌到趨近於零。於是設計者鋪設一小撮多餘(「冗餘」)的列與行,等測試找出壞位址後,燒斷 eFuse,讓位址解碼器把對壞列的任何存取悄悄改道到備用列。缺陷對外界就此隱形。
想像一座劇院多蓋了幾個座位,這樣首演夜若有些椅子壞了,持票者就被悄悄升級到備用座——演出照樣全場售罄。同樣的邏輯如今在晶片裡自動運行:內建自我測試(BIST)找出失效,內建自我修復(BISR)自行重新指派冗餘元件,甚至能在現場進行。冗餘正是大型 SRAM 與 DRAM 之所以能在經濟上量產的、無名的功臣。
更積極的方案再加上晶片內 ECC(錯誤更正碼),連出貨後才失效的單元也能即時更正——隨著 DDR5 把 ECC 直接內建進 DRAM,這已越來越成為標配。
又称
另见