多臨界電壓設計（multi-Vt）

多臨界電壓設計給晶片一整箱具有不同臨界電壓（Vt）的電晶體，讓工具替每個閘挑選最合適的——就像備齊整套變速的單車手。低 Vt 電晶體是高速檔：快，但漏很多電流。高 Vt 電晶體是低速檔：慢，但幾乎不漏。訣竅是只在少數與時脈賽跑的路徑上用那些「吃油」的快電晶體，其餘地方一律用省電的慢電晶體。

晶圓廠會把同一個邏輯單元（例如 NAND2）做成 LVT、SVT、HVT 三種版本，佈局完全相同、只差在佈植摻雜，因此在流程後段替換它們是隨插即用的改動。一個功耗回收最佳化步驟會走遍每條時序路徑：凡是還有正餘裕（slack）可花的地方，就把快速的 LVT 單元降級成省漏電的 HVT 單元，往往能在維持時序收斂的同時把總漏電砍掉 2 至 10 倍。危險在於在非關鍵路徑上濫用 LVT，悄悄燒掉待機功耗。