高数值孔径 EUV（high-NA EUV）

每一台光刻机都面对同一个极限：它能印出的最细线条，由它用的光决定。普通 EUV 已经用上了波长很短的 13.5nm 光，但一个透镜能分辨的最小尺寸，还取决于它能收拢并聚焦多宽的一束光锥，这个数叫数值孔径（NA）。可以把它想成相机镜头：光圈越大，收进的成像光线越多，越能把更细的细节聚到焦点上。高数值孔径 EUV 把这束光锥从今天的 0.33 扩大到 0.55，使分辨率大约提升三分之一。这之所以重要，是因为下面那几级阶梯不断要求更紧的间距，而每一代 EUV 都让你多缩一档，推迟你不得不退回到又慢又贵的多重曝光花招的那一刻。

不过天下没有免费的午餐。要把这束更宽的光锥折弯，光学系统得用上更大、且不对称的反射镜，而这种设计的物理特性会把曝光场——一次曝光所印出的那一小块晶圆——缩到标准 EUV 机台的约一半面积。于是对那些塞不进这更小曝光场的大芯片，设计必须切成几块分别曝光，再在接缝处小心地拼接起来，这是早先 EUV 机台不需要的额外步骤。高数值孔径机台也异常庞大，价格大约是标准 EUV 扫描机的两倍，所以晶圆厂只把它们留给少数几层真正值得用上更细分辨率的关键层，其余的层全都留在更便宜的机台上。