電化學阻抗工程（EIS）

電化學阻抗頻譜（EIS）藉由施加小幅正弦訊號，量測電極–電解質介面在整個頻率範圍（通常自毫赫至數十千赫）上的複數阻抗。所得的幅值與相位頻譜是介面品質的主要診斷依據：1 kHz 阻抗可預測熱雜訊與記錄訊噪比，低頻行為反映電荷儲存，而隨時間的位移則追蹤塗層降解、封裝，或不斷擴大的神經膠質瘢痕。

阻抗工程即是刻意地塑造此頻譜——在訊號所在之處降低幅值、將相位調控趨近理想電容行為——透過材料、表面積與塗層的選擇來達成。它是連結本領域各材料的共同語言：PEDOT、碳奈米管、氧化銥與奈米結構化，歸根究柢都是將阻抗頻譜朝所欲方向移動的策略。