先进节点与器件
背面供电（BSPDN）
几十年来，芯片把所有东西都堆在硅片的同一面：几十层金属同时承载着信号线（逻辑彼此对话的通道）和电源线（给每个晶体管送去供电电压）。随着特征尺寸越缩越小，这两份活儿开始争抢同一片拥挤的空间——而供电还有个特别的麻烦。把电流顺着这一摞高高的金属层往下送的导线又细又有电阻，于是供电电压在往下走的途中会稍稍塌一点。这一塌就是 IR 压降，而且它恶化的方式恰好印证了互连缩放的极限：导线越细就电阻越大、裕量越小，逻辑也就更慢、更不可靠。背面供电正是这样回应这一极限的——它给电源单独划出一块地盘。你把晶圆减薄，在硅片的背面再建一张金属网络，专门用来送电，而正面那一摞金属则被腾出来，只管走信号。
把它想成一栋公寓楼，原本把上下水、电路和走廊全都塞在同一组竖井里——什么都在挤地方。背面供电就像把所有管路都挪到楼后的一条服务通道里。这样一来，前面的走廊（信号）变得更宽、更好排布；而管路（电源）则能用又粗、又短、电阻又低的大管子，从正后方直接通到每一层，不必再从楼顶一路蜿蜒下来。由此带来两个好处。第一，IR 压降变小了，因为背面的电源轨更粗，电流到达每个晶体管所走的路也短得多。第二，布线拥挤缓解了，因为把那些粗壮的电源轨从正面各层撤走后，就给布局布线一直挤不下的信号线腾出了更多空间。它正是在 2nm 这一代前后进入量产的技术之一。
FRONT-ONLY (legacy) BACKSIDE POWER (BSPDN)
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│ signal + POWER mix │ │ signals only │ front metal
│ (crowded stack) │ │ (less congested) │
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│ transistors │ │ transistors │ silicon
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│ (bulk silicon) │ │ POWER network │ backside metal
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power fights power on the back,
signals up top signals up front传统芯片让电源和信号挤在同一摞正面金属里走线；BSPDN 把电源网络挪到减薄晶圆的背面，把正面各层留给信号，也缩短了送电的路径。
BSPDN 既是设计上的跨越，更是制造上的跨越——它要求把晶圆减薄到几乎不剩什么，再键合到一块载体上，还要用细小的垂直过孔把正面和背面连通起来，所以它是与那套同样能造出 2nm 级芯片的先进节点与封装工艺一同到来的。
又称
另见