電極直流偏壓抑制（交流耦合／直流伺服）

每個電極與電解質介面都處於半電池電位，記錄電極與參考電極之間的失配會產生緩慢變動的直流偏壓，可達數十毫伏——比微伏級神經訊號高出三到四個數量級。若直接送入高增益放大器，該偏壓會使輸出飽和，因此前端必須在保留訊號的同時抑制它。

經典解法是交流耦合：串聯輸入電容配上偽電阻回授路徑，設定一個次赫茲的高通轉角，阻擋直流卻讓棘波與大部分 LFP 通過。當真正的低頻或直流耦合內容重要時，替代方案是直流伺服迴路——回授中的積分器感測並抵消輸出偏壓，同時保持通帶不變。

工程上的難點在於所需的極低轉角頻率。以實際電容實現次赫茲高通需要 GΩ 到 TΩ 級的回授電阻，這些以偽電阻（次臨界 MOS 元件）或工作週期切換電阻實現。它們佔面積、隨溫度與製程漂移，並可能引入雜訊與失真，因此偏壓抑制是實實在在的前端設計軸線，而非事後補救。