跨導（transconductance, gm）

跨導回答的是一個很簡單的問題：當你把電晶體的閘極電壓輕輕推動一點點時，汲極電流會有多用力地響應？把閘極想成油門、把汲極電流想成車速。油門靈敏的車，輕輕一踩就竄出去；遲鈍的車，怎麼踩都不太動。跨導（寫作 gm）正是這種「靈敏度」——輸出電流相對於輸入電壓的斜率，gm = dId/dVgs。它的單位是西門子（安培每伏特），因為你拿一份電流變化去除以一份電壓變化。閘極上一個小小的推動就能「壓」出大幅的汲極電流變化，就意味著 gm 很大。

這一個數字悄悄地決定了你在放大器裡幾乎所有在乎的東西，因為電壓增益就是 gm 去對抗輸出端那一堆電阻所得到的結果。在共源級裡，這個增益是 gain = -gm*ro，其中 ro 是電晶體自身的輸出電阻，所以 gm 越強，你就白白多拿到一些增益。對於工作在飽和區的 MOSFET，有一個很順手的捷徑：gm = 2*Id/Vov，其中 Id 是偏置電流，Vov = Vgs - Vth 是過驅動電壓。仔細讀這個關係——它告訴你，在電流固定的前提下，用更小的過驅動可以換來更大的 gm；而且當你往元件裡灌更多電流時，gm 也會隨之增大。

所以當一位類比設計者「花掉電流」去追逐速度或增益時，他真正買到的東西其實是 gm。更大的 gm 意味著更高的增益、更快的建立、更低的輸入折合雜訊——但它的代價是偏置電流、裕量（headroom）或面積。每一份類比設計，歸根結底都是一場談判：你負擔得起多少 gm，以及你選擇把它放在哪裡。