凝聚態與固態物理

p-n 接面(p-n junction)

p-n 接面是你把一塊 p 型半導體壓在一塊 n 型半導體上時所得到的東西,也是電子學中最重要的單一構件:一個讓電流單向通行的閥門。往一個方向推電流,它暢流無阻;往另一個方向推,它就被擋住。從這個簡單的不對稱性,衍生出二極體、LED、太陽能電池,以及成對地構成電晶體。

在交界處,來自富電子 n 側的電子擴散到 p 側,電洞則往反方向擴散;它們在介面附近複合,留下一個空乏區(depletion region)——可動載子被清空、卻充滿固定帶電摻雜離子的區域。那些固定電荷建立起一個內建電場與一道跨越接面的位能障 V_bi。當載子順著濃度梯度的擴散,恰好被它們在內建電場中反向的漂移所抵消時,便達到平衡,其標誌是整個系統貫穿著一條平坦的費米能階。施加順向偏壓(使 p 側為正)會降低位能障,電流陡升,遵循蕭克利二極體方程 I = I_0 [exp(eV / k_B T) - 1];逆向偏壓則抬高位能障、加寬空乏區,把電流扼制到一個微小的飽和值 I_0。

p-n 接面是構築整流器、發光與光伏二極體以及雙極性電晶體的基本零件。要牢牢把握的微妙之處是:內建電場本身在平衡態下並不驅動任何淨電流;漂移與擴散精確地相互抵消,唯有當外加偏壓打破這個平衡時,接面才導通或阻斷。

一個矽二極體只有在順向電壓超過約 0.7 V(接近其內建電位)後才強烈導通;把電壓反轉,它只通過奈安培量級的漏電流,直到最終發生崩潰。

由單一不對稱性造就的單向導通:順向降低位能障,逆向抬高位能障。

內建電場在平衡態下不驅動任何淨電流:漂移與擴散精確抵消,唯有外加偏壓才能打破平衡,使之導通或阻斷。

又稱
pn junctionsemiconductor diodep-n 接合二極體接面