中介層（interposer）
一旦你決定不再做一顆巨大的整片晶片，而是把幾顆較小的小晶片並排擺在一起，就會撞上一個新問題：它們之間要怎麼連線？普通電路板上的走線太粗了——每毫米大概只能容納幾十條連接，而一顆現代裸晶的邊緣卻要上千條。中介層（interposer）就是答案。它是一塊薄薄的板子——通常是矽，有時是有機疊層材料——墊在這些小晶片下面，充當它們之間一層專用的、超精細的佈線地板。小晶片以覆晶方式藉由微小的焊料微凸塊貼裝在上面，中介層把密集的訊號橫向地從一顆小晶片送到另一顆，而它底面上一組較粗的凸塊則把整個組件向下連到封裝與電路板。
這就是人們所說的 2.5D 整合：晶片仍然處在同一個平面裡、邊對邊地排布，而不是垂直地疊起來（那才是真正的 3D）。中介層只是給了它們一套遠比電路板豐富得多的連接。由於矽可以用製造晶片的同一套微影工藝來刻圖案，矽中介層能提供以微米計量的線間距，還可以選用穿透矽通孔（TSV）——它直接豎著打穿下去，讓電源與來自電路板的訊號得以穿過中介層。正是這種精細的間距，造就了 HBM 的工作方式：一疊用 TSV 鍵合起來的 DRAM 被緊貼著邏輯裸晶擺放在同一塊中介層上，它們之間那成千上萬條又短又密的連線，正是帶來巨大記憶體頻寬的原因——它回應了記憶體牆，而一條窄窄的封裝外匯流排是永遠解決不了這個問題的。
代價是成本與尺寸。一塊大的矽中介層本身就是一片製造出來的矽，既昂貴，又受限於單次曝光能印多大的範圍，正因如此，有機中介層與基於橋的替代方案（只在真正需要密集佈線的地方嵌入一小塊矽橋）才日漸流行。但核心思想不變：中介層是讓小晶片系統得以成立的共享地基，它讓你能把來自不同製程節點的裸晶混搭在一起、只保留其中的良品裸晶，同時又把它們連得幾乎像一顆整片晶片那樣緊密。
2.5D: chiplets side by side on a shared interposer
[ logic die ] [ HBM stack ]
||||||||||| ||||||||||| <- microbumps
============================= <- INTERPOSER (fine traces + TSVs)
o o o o o o <- C4 bumps
----------------------------- <- package substrate
3D: dies stacked vertically, bonded through TSVs
[ die 2 ]
| TSV | <- vertical connection
[ die 1 ]
----------------- package2.5D 把小晶片邊對邊地擺在同一塊中介層上；3D 則把它們垂直堆疊、並透過 TSV 連接。許多現代元件同時用上這兩種方式。
隨著先進封裝在同一個產品裡把兩者結合起來，2.5D（小晶片在中介層上並排擺放）與 3D（裸晶垂直堆疊、面對面鍵合）之間的界線正變得越來越模糊。