DRAM 單元（1T1C）

儲存一個位元最會漏電、最便宜、最密集的方式：一顆電晶體加一顆極小的電容。位元就只是電容有沒有充電——充飽是 1、放空是 0；那唯一的電晶體是一道閘門，只有當它的字元線被選中時，才把電容接上位元線。想像一個會慢慢漏水、頂上有水龍頭的水桶——你存水（電荷）代表「1」，但水桶會自己穩定地漏空。正是這種單電晶體的簡單，讓 DRAM 能在一顆晶片上塞進數 GB，密度遠勝六電晶體的 SRAM。

代價就在「D」（動態）：電荷在數毫秒內漏掉，所以整個陣列必須被更新（refresh）——讀出再寫回——每秒數千次，否則資料就蒸發。讀取也是破壞性的（感測電荷會把它放掉），因此感測放大器必須在每次存取後把每個單元回存。為了把電容塞進不斷縮小的面積，廠商把它做成很深的溝槽（trench）或在金屬層之間向上堆疊的高柱（stacked）。