位元線（bitline）

縱向的導線，負責把資料送進或取出一整行（column）的記憶體單元——是儲存位元通往外界的高速公路。一行中的每個單元都共用同一對位元線（SRAM 中是 BL 與其互補 BLB），所以位元線又長、又擠了上百顆單元，因此背負沉重的寄生電容。可以把它想成整條街共用的一條電話線：一次只能有一戶說話，而線越長，訊號擺動就越慢。

讀取時，被選中的單元只是「輕輕一拉」位元線——BL 與 BLB 之間僅出現約 50–100 mV 的微小電壓差——再由感測放大器（sense amplifier）把它「啪」地放大成乾淨的邏輯位準。寫入時，行驅動電路則強行把位元線拉到滿軌，以覆寫該單元。位元線電容主宰讀取速度與能耗，因此記憶體設計者極度在意把行做短、並在每次存取前先把線預充（pre-charge）。