三維整合與小晶片
混合鍵合（hybrid bonding）
當你把兩顆晶片疊在一起、還想讓它們彼此通訊時，就得在它們之間架一座橋。老辦法是在兩片裸晶相對的焊墊之間放上一顆顆微小的焊球，就像把一塊電路板擱在一床珠子上。這能用，但焊凸塊很笨重：每一顆都得留出活動空間，所以一整顆晶片上也就只能塞下幾千顆，而且每一顆都增加了高度、電阻和一段很長的電學通路。隨著記憶體牆、以及把資料搬到晶片外所要付出的代價成為主導性的限制，這些又粗又稀的連接就變成了瓶頸。
混合鍵合乾脆把焊料扔掉。取而代之的是，把每片裸晶的表面打磨到近乎原子級的平整，銅焊墊則嵌在周圍的氧化物之中。把兩個表面壓合在一起，氧化物與氧化物熔合、銅焊墊與銅焊墊熔合，全在一次鍵合裡完成。所謂「混合」正是這種搭配：氧化物負責黏合與結構密封，銅負責電學連接。因為不必再為焊球留出空間，焊墊之間只需相隔一兩微米，於是單是一平方毫米裡就能塞進成千上萬個這樣的接點，每一個都既短、電阻又低、電學上又安靜。
回報是焊凸塊根本搆不著的頻寬與密度。用這種方式接合的 3D 堆疊，表現得幾乎就像兩片裸晶本是同一塊矽：訊號徑直跨過接縫，幾乎不付出延遲或能量代價。這正是為什麼混合鍵合是最激進的 3D 堆疊背後的使能一步——從直接疊在處理器頂上的快取，到下一代的 HBM，目標都是在各層之間引出極其大量的導線，卻不必在高度、功耗或面積上繳那筆「焊凸塊稅」。
solder microbump stack hybrid-bonded stack
[ die A ] [ die A ]
o o o o <- solder bumps ||||||||| <- Cu pad-to-pad
(~40um pitch, gap+height) ============ oxide-to-oxide bond
[ die B ] [ die B ]
(~1um pitch, no gap)焊料微凸塊會留下一道縫隙、還需要較寬的間距；混合鍵合把銅焊墊與銅焊墊直接熔合、周圍圍著氧化物，於是兩片裸晶之間沒有縫隙、間距也細密得多。
難點在製造：鍵合表面必須做到無瑕地平整、潔淨，並對準到次微米級的精度，所以混合鍵合比放焊凸塊更難、良率成本也更高，這也是為什麼它只用在價值最高的那些堆疊上。
又稱
另見