閃爍雜訊（1/f 雜訊）

每個電晶體都會發出嘶嘶的雜訊，但閃爍雜訊是一種很特別的嘶嘶聲——東西動得越慢，它反而越響。想像一條滿是坑洞的土路：開快了你會從坑上一掠而過，但慢慢爬行時，每一個坑都會顛你一下。在 MOSFET 裡，這些「坑洞」就是位於矽—氧化層介面處的微小缺陷，它們會隨機地抓住又放走經過的載子。這種緩慢的「捕獲—釋放」過程會在很長的時間尺度上擾動電流，於是雜訊功率就在低頻處堆積起來，在接近直流（DC）的地方壓倒一切。把它的功率對頻率畫出來，頻率越低雜訊爬得越高，大致按 1/f 上升——這正是它被稱為 1/f 雜訊的原因，也是它成為一切量測慢變或近直流訊號場合（如感測器、能隙基準、音訊）剋星的原因。

熱雜訊在頻率上是平坦的，而閃爍雜訊卻帶有斜率，兩者會在一個稱為 1/f 轉折點（1/f corner）的地方相交：在它之上熱雜訊占主導，在它之下閃爍雜訊接管。有兩個旋鈕可以把這個轉折點往低頻推。第一，把元件做大——閃爍雜訊隨閘極面積下降，因為更寬更長的通道會對更多的陷阱取平均，所以同一個輸入級如果畫成 10 倍面積，在低頻處就會安靜得多（這也是為什麼經常選用陷阱更少的 PMOS 元件來做關鍵的輸入對管）。第二，當單靠幾何尺寸不夠時，設計者會用電路技巧來「作弊」：斬波（chopping）會快速翻轉訊號的極性，把它搬到高頻去——搬到轉折點以上、只剩安靜熱雜訊的地方，再翻轉回來，把緩慢的閃爍誤差甩在身後；而自動歸零（auto-zeroing）則是取樣放大器自身的低頻誤差並把它減掉。兩者都能讓電路一直看到接近直流的地方，而不至於淹沒在 1/f 雜訊裡。

代價是：更大的元件會占用面積並增加電容（拖慢電路），而斬波和自動歸零又會引入它們自己的開關偽影和時脈雜散（clock spur）。所以對抗閃爍雜訊是一筆交易，而非白撿的好處——你要花掉面積、速度或複雜度，去換取在近直流處對世界更安靜的觀測。