電子背向散射繞射(electron backscatter diffraction)
如果你想知道一塊金屬裡的晶體如何取向——每個晶粒的晶格朝哪個方向、晶粒與鄰居有何不同——而且是橫跨一整片拋光表面,電子背向散射繞射(EBSD)就是標準工具。它不住在穿透式顯微鏡,而住在一般的掃描式電子顯微鏡(SEM)裡,能在數毫米的範圍內一粒一粒地繪製取向,這是薄膜技術在那種尺度上做不到的。
它的架設很有特色:平坦、拋光的試片被大幅傾斜,約離水平 70 度,讓電子束以掠角打到表面。從最上層數十奈米背向散射出來的電子,在離開途中被晶面繞射,於是——就像 TEM 中的菊池線一樣——在樣品旁的螢光屏與相機上形成一組明亮的帶(電子背向散射圖樣,即 EBSP)。每一條帶對應一組晶面,而整組帶的幾何就是晶體取向的指紋。軟體辨識這些帶、對照已知晶體結構將其指標化,並在幾分之一秒內回報該點的取向。接著把電子束逐點掃過表面,在每一點指標化一張圖樣,你就建立出一張取向圖——一幅彩色影像,每個晶粒的顏色編碼它的晶格朝向。
從這樣的圖你能讀出晶粒尺寸與形狀、每條晶界兩側的錯向(分辨小角度與大角度晶界、辨識特殊的重合位置晶格晶界)、材料整體的織構或優選取向,甚至粗略感知儲存的應變(它會使帶模糊)。EBSD 也能區分晶體結構不同的物相。誠實的限制:它是表面技術,只取樣淺淺的近表層,所以需要細心拋光——變形或污染的表層會毀掉圖樣。它繪製的是取向與物相,而非完整原子結構,而且對晶格幾乎相同的物相難以區分。
對軋延鋁板做 EBSD 掃描,產生一張彩色圖,其中大片區域共用同一顏色——意味著許多晶粒共用軋延留下的優選取向。軟體也把錯向超過 15 度的邊界標記為大角度晶界,一次自動掃描就畫出真正的晶粒結構及其織構。
EBSD 在 SEM 逐行掃描的每一點指標化一張菊池帶圖樣,以繪製晶粒取向、晶界與織構。
EBSD 只取樣淺淺的近表層,所以表面製備決定一切:機械變形或氧化的表層會使菊池帶劣化,甚至讓指標化失敗。它繪製的是取向與物相,而非完整晶體結構。