電極陣列植入創傷

將剛硬的電極陣列穿過鼓階漸縮的螺旋腔時，可能撕裂基底膜、扯斷螺旋韌帶、折斷骨性螺旋板，或使陣列移位進入前庭階；這些機械性傷害會摧毀殘餘毛細胞、誘發發炎與耳蝸內纖維化／骨化，並可能加速螺旋神經節喪失。植入創傷是聽力保留的頭號敵人，也左右長期的電極–神經距離與阻抗。

緩解屬於設計與手術兼具的問題：採外側壁（相對於貼近蝸軸）或纖薄可彎的陣列、緩慢植入（數十秒至數分鐘）、經圓窗而非耳蝸造孔的進路、即時回饋（電耳蝸圖監測，或新興的力感測／機器人植入工具），以及抗發炎藥物釋放。所謂無創是相對的：即便教科書式的植入也會造成某種程度的耳蝸內反應，這正是藥物釋放型、更柔軟的陣列，乃至最終再生型介面成為活躍前沿的原因。