電極周圍神經元流失（死區）

電極周圍神經元流失是指長期植入電極桿緊鄰環帶內可存活、可放電神經元的耗竭，俗稱死區。持續的發炎、血腦障壁滲漏、微血管斷裂造成的局部缺血，以及機械應變，共同驅動約前 100 微米範圍內的神經元死亡與樹突修剪。

此流失的重要性遠超其空間範圍所暗示，因為細胞外棘波振幅隨距離急遽衰減（理想點源約為 1/r，實務上主導的偶極場衰減更快）。因此，失去最鄰近的神經元會不成比例地減少良好分離的單一神經元數目，即使稍遠處仍有較健康的神經元存留。