憶阻器／電阻式記憶體突觸

憶阻元件（電阻式記憶體、相變、鐵電或類似的非揮發元件）以類比、非揮發的電導儲存突觸權重，並可用電脈衝調整。將這些元件排成交叉陣列，即成為類比記憶體內運算的物理基底：它們不耗電即可保存權重，並在類比域執行加權和。其多階、漸增的電導變化也使其能模擬突觸可塑性以支援晶片上學習。

元件非理想特性是核心障礙：可辨識狀態數有限、權重更新非線性且不對稱、週期間與元件間變異、電導漂移與讀取雜訊，以及有限的寫入耐久度。解碼方案必須容忍這些特性，而其在體內的長期可靠度尚未證實。