材料的電性質
本質半導體
本質半導體(intrinsic semiconductor)是處於純淨、未摻雜狀態的半導體,導電完全來自材料本身,沒有加入任何外來原子。室溫下的純矽或純鍺就是教科書上的例子。它的導電完全是「本質的」、與生俱來的,源自被熱能碰巧撞過能隙的電子。
以下是機制,一步步說。在絕對零度,價帶完全填滿、導帶全空,所以純矽是絕緣體。加溫後,偶爾一點熱能就足以把一個價電子踢過 1.1 eV 的能隙進入導帶。一次同時產生兩個載子:上到導帶的電子,以及它在價帶留下的電洞。所以本質態的一條決定性規則是,電子與電洞的數目完全相等,n = p。兩者都在電場下漂移、都載送電流,導電率雖小卻真實,這也是為什麼本質載子數隨溫度陡升,遵循 e^(-Eg / 2kT) 律。
本質態是衡量一切其他情形的誠實基準,但它本身很少有用,它的導電率既微弱又對溫度極度敏感,正是穩定元件最不想要的。整個半導體工業的技藝,就是靠摻雜以受控的外質載子洪流,淹沒這股本質載子的涓流,使材料的行為由工程師決定、而非由天氣決定。即便如此,理解本質態仍屬必要:它設定了漏電、溫度上限,以及摻雜隨後往某一邊傾斜的載子平衡。
室溫的本質矽中,每立方公尺只有約 10^16 個電子-電洞對,聽起來很多,但矽每立方公尺約有 5 times 10^28 個原子,所以每幾兆個原子才有一個貢獻載子。這就是為什麼本質矽的導電性比銅差約十億倍,也是為什麼一絲摻雜就能完全主宰它。
本質即純淨:電子與電洞成對等量產生,數量稀少,對溫度極為敏感。
「本質」不代表「完美」或「理想」,它的意思是未摻雜。實務上要做出真正本質的矽幾乎不可能;即使是微量非刻意的雜質,也會把真實晶體推向略帶 N 型或 P 型,這正是為什麼刻意摻雜必須壓過那些雜散原子。
又称
另见