磁熱刺激

磁熱刺激是驗證最充分的磁遺傳學機制：注射於目標神經元附近或與其結合的超順磁氧化鐵奈米粒子，在數百千赫的交變磁場下，透過奈爾（Neel）與布朗（Brownian）弛豫散熱（磁滯損耗）。局部升溫數度即可閘控目標細胞所表現的熱敏感通道（如 TRPV1），引發鈣內流與去極化，並侷限於帶轉殖基因、由奈米粒子標記的族群。

加熱效率取決於粒子的比損耗功率，其又受粒徑、組成以及磁場振幅與頻率影響；安全操作範圍受可容忍的非目標整體升溫，以及磁場對周邊神經刺激的限制所界定。通道依熱時間常數開啟，故時間精度在秒的量級，而非光遺傳學或電刺激的毫秒級。