電荷注入極限（水窗／Shannon 準則）

電荷注入極限是指在真實刺激脈衝中，電極在其電位偏移離開安全水窗（約為相對 Ag/AgCl 的 -0.6 至 +0.8 V，超出即開始還原或氧化水）並引發不可逆反應之前，每相所能提供的最大電荷量。與 CSC 不同，它是脈衝相依的：取決於脈寬、波形、相間間隔以及任何直流偏壓。

就組織安全而言，兩個相互耦合的量至關重要——每相電荷與電荷密度，兩者由經驗性的 Shannon 方程 log(D) = k - log(Q) 所刻畫，其中較低的 k 值標示較保守（較安全）的界限。實務後果是：縮小電極會迅速拉高電荷密度，故小型高選擇性接點在極小的總電荷下便觸及安全極限，這正是在微尺度刺激時需要高電荷材料（氧化銥、PEDOT、奈米結構塗層）的原因。