局部場電位的成因

局部場電位是細胞外電位中低頻（大致低於 300 赫茲）的部分，理解其成因即在問哪些跨膜電流佔主導。突觸電流——尤其是錐體細胞排列整齊的頂樹突上緩慢的樹突性突觸後電流——是主要的產生者，因為它們在空間上延展、時間上緩慢，且常在許多神經元間同步，使其偶極場得以相加。其他貢獻來自鈣棘波、內在的閾下膜振盪、後超極化與棘波後電位；快速的動作電位電流主要貢獻於高頻邊緣，而當許多細胞同時放電時，也貢獻一個棘波滲入（spike bleed-through）成分。

詮釋 LFP 之所以複雜，是因為它是一種混合：某一位置記錄到的訊號可能反映數百微米外產生、再經體積傳導而來的突觸活動，且其振幅由源的幾何與相關性主宰，而非僅由局部放電決定。其頻率內容也受作為濾波器的組織與電極塑形，並座落於 1/f（非週期性）背景之上，振盪峰值即疊加於此背景。