時序收斂與靜態時序分析
製程-電壓-溫度(PVT)
PVT 點出讓兩顆物理上相同的晶片跑出不同速度的三個旋鈕:矽從晶圓廠出來時剛好長成什麼樣(製程)、供電多少(電壓)、以及有多熱(溫度)。沒有兩顆電晶體真正相同——製造上的隨機分布意味著有些晶圓偏「快」、有些偏「慢」。較高的供電電壓給電晶體更大驅動、讓它變快;溫度則更狡猾,通常讓閘在高溫時變慢,但在低電壓下有時反而相反(溫度反轉)。
STA 無法分析真實條件的無窮連續譜,於是晶圓廠把它濃縮成離散的 PVT 製程角——標記為 SS(慢-慢)、FF(快-快)、TT(典型)——每個都是這三者的最壞情況組合。慢角逼出建立問題、快角逼出保持問題;一顆強健的晶片必須兩個極端都通過,因為它一生中會經歷冷與熱、滿電與沒電、好運晶粒與背運晶粒。PVT 是 MCMM 中那份製程角清單賴以建構的原料。
兩個相反的製程角都必須通過,晶片才算強健。
現代先進製程常把老化與自加熱當作額外維度——電晶體用了多年確實會變慢,所以簽核越來越會檢查一個「壽命末期」的 PVT,那是晶片要等到老了才會碰到的條件。
又稱
另見