高數值孔徑 EUV（high-NA EUV）

每一台微影機都面對同一個極限：它能印出的最細線條，由它用的光決定。普通 EUV 已經用上了波長很短的 13.5nm 光，但一個透鏡能分辨的最小尺寸，還取決於它能收攏並聚焦多寬的一束光錐，這個數叫數值孔徑（NA）。可以把它想成相機鏡頭：光圈越大，收進的成像光線越多，越能把更細的細節聚到焦點上。高數值孔徑 EUV 把這束光錐從今天的 0.33 擴大到 0.55，使解析度大約提升三分之一。這之所以重要，是因為下面那幾級階梯不斷要求更緊的間距，而每一代 EUV 都讓你多縮一檔，推遲你不得不退回到又慢又貴的多重曝光花招的那一刻。

不過天下沒有免費的午餐。要把這束更寬的光錐折彎，光學系統得用上更大、且不對稱的反射鏡，而這種設計的物理特性會把曝光場——一次曝光所印出的那一小塊晶圓——縮到標準 EUV 機台的約一半面積。於是對那些塞不進這更小曝光場的大晶片，設計必須切成幾塊分別曝光，再在接縫處小心地拼接起來，這是早先 EUV 機台不需要的額外步驟。高數值孔徑機台也異常龐大，價格大約是標準 EUV 掃描機的兩倍，所以晶圓廠只把它們留給少數幾層真正值得用上更細解析度的關鍵層，其餘的層全都留在更便宜的機台上。