磊晶
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磊晶（epitaxy）是把一顆晶體長在另一顆晶體上、讓新長出的層複製它所落腳表面之排列的技藝，就像鋪一排新磚，讓它和底下那一層完全對齊。這個字源自希臘文：epi 意為在……之上、taxis 意為排列，所以 epitaxy 字面上就是依上排列。沉積上去的薄膜原子不是隨機堆疊；它們順著基板晶體的暗示，和它的晶格對齊。
在同質磊晶（homoepitaxy）中，薄膜和基板是同一種材料（矽長在矽上），所以貼合完美。有趣又有用的情形是異質磊晶（heteroepitaxy），把一種材料長在另一種材料上（例如把半導體合金長在矽或砷化鎵晶圓上）。這時兩個晶格常數通常不同，失配用 delta = (a_film - a_substrate)/a_substrate 衡量。若 delta 小，薄膜會帶著應變、但共格地成長，拉伸自己去匹配基板；一過臨界厚度，它就靠形成失配差排來鬆弛、變成半共格。所以磊晶是成長過程，而共格／半共格界面的觀念描述的是它的界面。
磊晶是整個半導體與光電產業的基石：LED、雷射二極體、高速電晶體、太陽能電池全都是用精確晶格匹配的磊晶層建成的，靠的是分子束磊晶（MBE）與金屬有機化學氣相磊晶（MOCVD）這類技術。工程師甚至刻意利用剩下的應變（應變矽）來提升元件速度。誠實提醒：失配太大會毀掉薄膜，因為用來釋放應變的失配差排，同時也是對電性有害的缺陷，所以元件層會被控制在臨界厚度以下，或挑選能把失配降到最小的基板。
把一層砷化鎵長在砷化鎵晶圓上（完美匹配），或把一層薄而帶應變的矽鍺長在矽上（小失配），都仰賴磊晶：沉積上去的原子鎖進基板晶格、延續它的圖案。
磊晶：長出一層複製基板晶格的晶體薄膜；失配小維持共格，失配大則需要失配差排。
磊晶不是一種界面，而是一種成長過程。最後得到的界面是共格、帶應變、還是靠失配差排鬆弛，取決於晶格失配與薄膜厚度。