電遷移（electromigration, EM）

把晶片上一根細細的金屬線想像成河床，流過它的電子就是水流。平常水只是從礫石上面流過去。可一旦水量夠大、流得夠急，它就會開始把礫石一起拖著走——在某一處把河床沖薄，又在下游把礫石堆起來。電遷移就是同樣的道理，只不過發生在原子尺度上：當線裡的電流密度高到一定程度，移動的電子就把動量傳給金屬原子（工程師把這叫做「電子風」），慢慢把它們往前推，方向和電子的流向一致。經年累月之下，金屬真的會發生位移——原子從某處被抽走，留下一個空洞，把線越削越薄，直到裂開斷路；而在別處則堆積成一個凸起（小丘，hillock），有可能頂進旁邊的線把它短路。

關鍵詞是「密度」，而不是總電流：一根載著不大電流的細線，其單位截面上的電流可能遠高於一條載流更大的粗匯流排，真正造成損傷的正是這種「每單位面積」的擁擠。這就使電遷移成為一種長期可靠性（wear-out 老化磨損）上限，而不是上電時就能看到的問題——晶片第一天用起來好好的，卻在現場跑了幾年之後才失效，這正是為什麼它必須在流片（tape-out）之前就被查出來。簽核工具會拿每一根線和每一個 via 去對照晶圓廠給出的、逐金屬層設定的電流上限；對電源、地線軌道和時鐘網路，工具卡得更嚴，因為那裡的電流始終朝一個方向流，而普通訊號線由於來回翻轉，讓一部分被推走的原子又漂回來、得以部分自我修復。補救手段都是幾何性的：把線加寬、把電流分到更多並聯的線或 via 上，或者改走更厚的上層金屬。